一、影響蒸鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性包裝薄膜性能的（de）因素

蒸鍍基（jī）膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件（jiàn）以及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能對蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔性包裝薄（báo）膜的性（xìng）能產生巨大的影響。

1.基材的選擇（zé）性
如前所述，蒸鍍型氧化（huà）矽阻（zǔ）隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於（yú）SiOx塗（tú）層，因此（cǐ）在蒸（zhēng）煮處（chù）理過程中，不能破壞該塗層。蒸（zhēng）鍍型（xíng）氧化矽阻隔（gé）性包裝（zhuāng）薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜（mó），選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜（mó）與塑料薄膜之間的黏合牢度（dù）與塑料基膜種類之間有較大的關係，PET、PVC等極性（xìng）較大的薄膜（mó）與氧化矽間（jiān）的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性（xìng），除了受蒸（zhēng）鍍層的厚度影響之外（wài），更大程度上決定於氧化矽鍍層的（de）均（jun1）勻性。裂縫、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學成分（fèn）與結構之外，所（suǒ）用基膜的表麵平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸（zhēng）鍍缺陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和基膜的表麵之間形成物理錨接，改善層（céng）間黏合力。

（3)塑料薄膜的表麵預處（chù）理狀況

為（wéi）了（le）得到優（yōu）質的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵（miàn）電暈處理是十分必要（yào）的。塑料（liào）薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複雜的（de）化學（xué）反應，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄膜（mó）的表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層（céng）之間的（de）結合力。在預處理設備（bèi）一定的情況下，如果預處理時（shí）間不足，表（biǎo）麵改性（xìng）不充分，將導致基（jī）膜與（yǔ）塗層之間的結合牢度下降；預處理時間過長（zhǎng），可（kě）能引（yǐn）起基膜（mó）較（jiào）深層次（cì）的界麵（miàn）弱化，產生基膜自身的弱（ruò）界（jiè）麵層（céng），也會引起基材表麵和蒸鍍層（céng）間的結合力下降。

2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能的影響

不論采用物理蒸鍍（dù）或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件（jiàn）都可（kě）能對蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的性能產生顯著的影（yǐng）響，因此應當（dāng）盡可能采用有利於提高蒸鍍（dù）薄膜阻隔性的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時（shí），

真空度的高低（dī）、基材薄膜的溫度、電子槍的功率（lǜ）、蒸鍍原料SiO2的形（xíng）狀、真空室中（zhōng）氧氣導入的速度、蒸鍍（dù）塗層（céng）的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空（kōng）度（dù）越高，越有利於SiO2的蒸發，製得（dé）的蒸（zhēng）鍍膜的質量越高。

②蒸鍍（dù）時塑料基膜的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料（liào）基膜上沉積、形成致密的塗（tú）層並有利於提高蒸鍍層與塑料基膜間（jiān）的黏結度，因此適當（dāng）提高塑料基（jī）膜的溫度，有利於提高蒸鍍薄膜的質量。

③采（cǎi）用（yòng）電子（zǐ）槍（qiāng）轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電（diàn）子槍轟擊時，易產生粉末（mò）濺射（shè）現象，影（yǐng）響蒸鍍膜的（de）質量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入速度影響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數（shù）的比值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明（míng）性提高的方（fāng）向移動，但阻隔（gé）性有降低的趨（qū）勢（shì）。當x等（děng）於2時（shí），得到阻隔性能差的、無色透明的蒸鍍層（céng），通常x控（kòng）製在1.5~1.8之（zhī）間以獲（huò）得兼具高阻隔性及良好透（tòu）明性的蒸鍍氧化矽薄膜。

蒸鍍層的（de）厚度增加，蒸鍍膜的阻隔性增加（jiā），但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層（céng）的厚度再進一步增大，蒸鍍（dù）膜的阻隔（gé）性基本保持不變，因此不（bú）能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時（shí）間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸（zhēng）鍍中，高頻電磁波或微波頻率的（de）選擇，應與離子化氣（qì）氛中的離子（zǐ）化能量以及蒸（zhēng）鍍材料離子化所需要的能量相匹（pǐ）配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優良的蒸鍍效果，而（ér）物理蒸鍍時則需要更高的真空（kōng）度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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