蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜（mó）的製備方法有物理蒸（zhēng）鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體實施（shī）方法的不同，又有如下種種方法。阻隔膜生產設（shè）備

1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦（yì）稱物（wù）理氣相沉積（jī）法，包括電阻（zǔ）絲蒸鍍、電子束（shù）蒸鍍以及濺射等。其中電阻式蒸鍍（dù）和電子束蒸鍍需在高溫下使SiO2汽化，而濺射沉積應用單元素靶材濺射（shè），具有沉積溫度低（dī）、沉積速率高、靶材不受限製、鍍膜（mó）質量好的
優點。

（1)電阻絲蒸鍍（dù）法（fǎ）

電阻絲蒸發鍍法是在真空室中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可（kě）達1700℃,高溫及真空使SiO2以原（yuán）子或分子的形態（tài）從其表麵汽化逸出，形成蒸氣流，該蒸氣流在基材表麵沉積，形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。

（2)電子（zǐ）束蒸發鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放（fàng）入水冷（lěng）銅坩堝中，直接（jiē）利用電子束加熱，使（shǐ）之蒸發汽化，然後凝結在（zài）基材的表（biǎo）麵上形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發溫度高（電（diàn）子束加熱能（néng）量達20kW/c㎡,溫度更（gèng）可達3000~6000℃),因而特別適合製（zhì）作高（gāo）熔點薄膜類材料和高純薄膜材料，而且能有（yǒu）較高的蒸發速度。由於熱量（liàng）可直接加到蒸鍍材料的表麵，因而熱效率高，熱傳導和熱輻（fú）射的損失少，所生產的SiOx阻隔性（xìng）包裝薄膜的阻隔性，較之電阻絲蒸鍍（dù）法生（shēng）產的產品（pǐn），也有顯（xiǎn）著提高。

（3)濺射法

濺射法亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素靶材濺射並倒入反應氣體進行的反應稱為反應濺射，通（tōng）過調節沉積工藝參數，可以製備化（huà）學（xué）配比或非化學配（pèi）比的化合物薄膜，從（cóng）而達到通過調節薄膜鍍層的組成來調控薄（báo）膜（mó）特性的（de）目的。磁（cí）控濺射法與（yǔ）蒸（zhēng）發（fā）法相比，具有鍍膜層與基材（cái）的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點。磁控（kòng）濺射的其他優點有設備（bèi）簡單（dān）、操作方便等，在濺射鍍膜過程中，隻（zhī）要保持工作氣壓和濺（jiàn）射功率恒定，基本上即可（kě）獲得穩定的沉積速率。最大（dà）缺點是沉積速率相對較低，此外可能發生靶中毒、引起的打火和濺射過程不（bú）穩定以及膜的缺陷（xiàn）等，這些限製了它的應用，因此尚有待進一步（bù）改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦稱等離子體增強（qiáng）化（huà）學氣相沉積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等離子體手段產生電子、離子（zǐ）及活性基團，在氣態或基體表麵進行化學反應。等離（lí）子體增強化學氣相沉積技術，利用射頻（RF)電源產生輝（huī）光放電（射頻電源放電方（fāng）式可以（yǐ）設置為連續放電方（fāng）式或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電來（lái）離解反應氣體，形成（chéng）等離子體，等離子體與基膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀吉海等（děng）曾在包裝（zhuāng）工程（chéng）中，對PECVD蒸鍍技術的原理、特（tè）點（diǎn）和應用及陶瓷膜蒸鍍技術的發展趨勢進行了展望。

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