蒸鍍氧化矽型阻（zǔ）隔性包（bāo）裝薄膜（mó）的製備方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大類。根據具體實施方法的不同，又有如下（xià）種種方法。阻隔膜生產設備

1.物理蒸鍍
物理蒸（zhēng）鍍亦稱物理氣相沉積法，包括電阻絲蒸鍍、電子（zǐ）束蒸鍍（dù）以及濺射等。其（qí）中電阻式蒸鍍和電子束蒸鍍需在高溫下（xià）使SiO2汽化，而濺射沉積應用單元素靶材濺（jiàn）射，具有（yǒu）沉積溫度低、沉積速率高、靶材（cái）不受限製、鍍膜質量好的
優點。

（1)電阻絲蒸鍍法

電阻絲蒸發鍍法是在真空室中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高溫及真（zhēn）空使（shǐ）SiO2以原子或分子的形態從其表麵汽化逸（yì）出（chū），形成蒸氣流，該蒸氣流在基材表麵沉積，形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝（zhuāng）薄膜。

（2)電子束蒸發鍍膜（mó）法（fǎ）

電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使之蒸發汽化，然後凝結在基材的表麵上（shàng）形（xíng）成含SiOx鍍（dù）層的阻（zǔ）隔性包裝薄（báo）膜。電子束轟擊熱源的束（shù）流密度高，能獲得遠比（bǐ）電阻加熱源更大的能量密（mì）度，蒸發溫度高（電子束加熱能量（liàng）達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因而（ér）特別適合製（zhì）作高（gāo）熔點薄膜類材料和（hé）高純薄膜材料，而且能有較高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸鍍材料的表麵（miàn），因而熱效率高，熱傳導和熱（rè）輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔性包裝薄膜的阻隔（gé）性，較之電阻絲蒸（zhēng）鍍法生產的產（chǎn）品，也有顯著提（tí）高。

（3)濺射法

濺射（shè）法亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素（sù）靶材濺射並倒入反應氣體進行的反應稱為反應濺射，通過調節沉積（jī）工藝參數，可以製備化學配比（bǐ）或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調節薄膜鍍層的組成來調控（kòng）薄膜特性（xìng）的目的。磁控（kòng）濺射（shè）法與蒸發法相比，具有鍍膜層（céng）與基材的（de）結合力（lì）強、鍍膜層致密、均勻等優點。磁控濺射的其他優點有設備（bèi）簡單、操作（zuò）方便等，在濺射鍍膜過程中（zhōng），隻要保持工作氣壓和濺射（shè）功率（lǜ）恒定，基本（běn）上即可獲得穩定的沉積速率。最大缺點是沉積速率相對較低，此外可能發生（shēng）靶中毒、引起的打火（huǒ）和濺射過程不穩定以（yǐ）及膜的缺陷等（děng），這（zhè）些限（xiàn）製了（le）它的應用，因此尚有待進一步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦（yì）稱等離子體增強化學氣相沉積或等離子體聚合（hé）氣相沉積，是利用等離子（zǐ）體手段產生電子、離子及活性基（jī）團，在（zài）氣態或基體表麵進行（háng）化學反應。等離子體增強化學氣相沉積技（jì）術，利用射頻（RF)電（diàn）源產生輝光放電（射頻電源（yuán）放（fàng）電方式（shì）可以設置為連（lián）續放電方式或脈衝放電方式）或者微波（MW)放電（diàn）來離解反應氣體，形成等離子體，等離子體與基膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀（gǔ）吉海等曾在（zài）包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術的原理、特點和應用及陶瓷膜（mó）蒸鍍技術的（de）發展趨勢進行了展望。

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