一、影響蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）性能的因素

蒸鍍基膜（mó）、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的組（zǔ）成、蒸（zhēng）鍍層的厚（hòu）度等（děng），都可能對（duì）蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性（xìng）能產生巨大的影響，主（zhǔ）要可以列舉如下。www.xbbg.cn南京91视频入口精工阻隔膜（mó）生產線
1.基材（cái）的選擇性（xìng）
如前（qián）所述，蒸鍍型（xíng）氧化矽阻隔性包裝（zhuāng）薄膜（mó）的阻隔性（xìng）依靠於SiOx塗層，因此在蒸煮（zhǔ）處理過程中，不能破壞（huài）該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）通常與其他薄膜複（fù）合（hé），製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與塑料基膜種類之間有較大的關係，PET、PVC等極性較大的（de）薄膜與氧化矽間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間（jiān）的（de）黏（nián）合力則比較差。

（2)塑料（liào）薄膜表麵狀態（tài）

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的阻隔性，除了受蒸鍍層（céng）的厚度影響之（zhī）外，更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫（féng）、針孔等缺（quē）欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷（xiàn）的（de）形成（chéng）除了蒸鍍層本身的化學成分與結構之外（wài），所用基（jī）膜的表麵平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越容（róng）易造成蒸鍍缺陷，但（dàn）適量的粗糙度會（huì）使蒸鍍層和基膜的（de）表麵之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜的表麵預處理狀況

為了得到優（yōu）質的蒸（zhēng）鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵（miàn）電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電（diàn）暈處理，可在其（qí）表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝（xiāo）基化等多種複雜（zá）的化學反應（yīng），將氧、氮等原子（zǐ）及原子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大基膜與蒸鍍（dù）塗層之間（jiān）的結合力。在預處理設備（bèi）一定的情況下，如果預處理時間（jiān）不足，表麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理（lǐ）時間過長，可能引起基膜較深層次的界麵弱化（huà），產生基（jī）膜自身的弱界麵（miàn）層，也會引起基材表麵和蒸鍍層間的結合力下降。
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2.蒸鍍工藝條件對（duì）蒸鍍（dù）型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜性能的影響

不論采用（yòng）物理蒸鍍或者化（huà）學蒸鍍，蒸鍍（dù）工藝條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包（bāo）裝薄（báo）膜（mó）的（de）性能產生顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件（jiàn）。

（1)采用物理蒸鍍時，

真（zhēn）空度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的（de）功率、蒸鍍原料SiO2的形（xíng）狀（zhuàng）、真空室中氧氣導入的速度（dù）、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間（jiān）與蒸發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越（yuè）高，越有利於SiO2的蒸發，製（zhì）得的蒸鍍膜的質量越高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度（dù）高，有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗層並有（yǒu）利於提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度，因此適當提高塑料基膜的溫度，有（yǒu）利於提高蒸鍍薄膜（mó）的質量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜（yí）使用塊狀的SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍（qiāng）轟擊時，易產生粉末濺射現象，影響（xiǎng）蒸鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入速度影（yǐng）響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原（yuán）子數的比（bǐ）值，氧的量越（yuè）大，即x的（de）值越大，蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但阻隔性有降低的趨勢（shì）。當x等於2時，得到阻隔性能差（chà）的、無色透明的蒸鍍層，通常（cháng）x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。www.xbbg.cn南京91视频入口精工阻隔膜生產線

蒸鍍層（céng）的厚度增加（jiā），蒸鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍（dù）層的厚度超過50nm時（shí），蒸鍍層的厚（hòu）度再進一步增大，蒸鍍（dù）膜的阻隔性基（jī）本保持不變，因此不能指望依靠降低生產線的線（xiàn）速度（增加蒸鍍時（shí）間）、增（zēng）加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸（zhēng）鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率（lǜ）的選（xuǎn）擇，應（yīng）與（yǔ）離（lí）子化氣氛中的（de）離子（zǐ）化能量以及蒸鍍材（cái）料離子化所需要的能量相（xiàng）匹配（pèi），高頻電磁（cí）波一般選用（yòng）13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左（zuǒ）右即可獲得優良的蒸鍍效果，而物理蒸鍍（dù）時則需（xū）要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度（dù）。

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