拉伸薄膜

         通常PET薄膜在縱向和橫向的F-5值在100~390MPa.但，這種薄膜（mó）對（duì）於長時間（jiān）放聲或小尺寸的磁帶基膜是不（bú）夠（gòu）用的。因這（zhè）些磁帶要求薄膜硬度（dù）更大。薄膜的有效硬度是與薄膜厚（hòu）度3X膜模量成比例的，即使薄膜很薄，也（yě）應該有較高（gāo）的模量。高模量的（de）薄膜是由增加薄膜分子取向獲得的。因為縱向模量與磁帶運動性有（yǒu）關，而橫向模量與磁頭接（jiē）觸性有關，要求在兩個（gè）方（fāng）向上都具（jù）有高模（mó）量。（磁帶的運動性好壞通常（cháng）是由磁帶的（de）伸長率、磁帶邊緣損壞及磁帶的折疊狀況來評價的）。

以下列舉了一些類型的拉伸薄膜：

①半拉伸薄膜（縱向F-5值為130~150MPa);
②一般拉伸薄膜（mó）（縱向F-5值為150~180MPa);
③過拉伸薄膜（縱向F-5值為180~220MPa);
④超過拉伸薄膜（縱向F-5值為220~260MPa);
⑤雙側（cè）拉伸薄膜（縱向 F-5值為150MPa;橫向 F-5值為140MPa).

隨著拉伸的增加，PET薄（báo）膜的熱收縮率收縮率增加，熱收縮的變（biàn）化是與F-5值的關係是不可逆的。

生產拉（lā）伸薄膜的基本過程如下（xià）：
（1)LD方（fāng）向拉（lā）伸；
（2)TD方向拉伸；
（3)LD方向再拉伸；
（4)如果（guǒ）需（xū）要，TD方向再拉伸；
（5)熱固化。

LD方向再拉（lā）伸是（shì）相當困（kùn）難的，因為薄膜（mó）非（fēi）常薄和寬，會導（dǎo）致

（1)兩邊應成（chéng）型得相當厚，以防此寬度減小；
（2)預熱和拉伸輥的偏差應該盡可能小；
（3)拉伸溫度應隨薄膜（mó）通過機器的進程而升高。

        由於（yú）再拉（lā）伸過程通常成（chéng）本較高，因此提出了另一種方法以降低製造成本。這種新工藝的特點是，第一次（cì）的LD方向拉伸分兩步進行:

（1)流延薄膜首先在120~150℃在LD方向拉伸，控製拉伸比（bǐ），使（shǐ）拉伸薄膜的雙折射（shè）值在0.005~0.025之間；

（2)之後第二次LD方向的拉伸在60~100℃之間進行；
（3)這樣獲得的單向拉伸薄膜在TD方向以4.3以上的拉伸比進行拉伸（shēn）；
（4)獲得雙向拉伸薄（báo）膜之（zhī）後再熱固化（huà）。

         根據這樣的（de）加工工藝，由於不需要再次拉伸過程，因此拉（lā）伸薄膜的（de）製造（zào）成本較低。有各種方法生產過拉伸薄膜，下麵列舉了其中的一些方法。

（1)雙取向的薄膜再次同步（bù）雙向拉伸.

          ”第二次同步拉伸（shēn）的拉伸比分別為：LD方向為1.05~1.90;TD方向為1.0~1.9.同步拉伸（shēn）的拉伸溫（wēn）度在（zài）（Tg+10)℃和（Tm-40)℃之間（jiān）（Tg:玻璃化轉變溫度；Tm:熔融溫度）。

（2)多步LD方向拉伸與再拉伸相結合.

        流延薄膜以多步形式在LD方向拉伸為雙折射值在0.02~0.10的單取向薄膜，之（zhī）後薄膜以2.5~4.5的拉伸比在TD方向拉伸，並以1.5~2.5的拉伸比（bǐ）在LD方向再拉伸。經過LD、TD及LD拉伸產品的拉伸比高於25.

（3)多（duō）步LD拉伸與同（tóng）步雙向拉伸相結合.

         流延薄膜以多步（bù）形式在（zài）LD方向拉（lā）伸為雙折射值在0.02~0.10的單取（qǔ）向薄膜。之後薄膜以（yǐ）高於（yú）2.5的拉伸比進行TD方（fāng）向拉伸，之後進（jìn）行同步雙向拉伸，此時兩方（fāng）向的拉伸比在1.4~2.5,產品總的拉伸比（bǐ）在27以上。

（4)伴有區域退火的區域拉伸。

        區（qū）域拉伸和退火包括（kuò）在按壓點加熱的張力條件下的薄膜拉伸和退火。區域拉伸的目的（de）是在防止結晶的同時獲得較高的分子取向，它是通過（guò）大致在Ts溫度時薄膜的頸縮拉伸獲得的。區域（yù）退火的目的（de）是在Tc-Tm 溫度之（zhī）間較高的張（zhāng）力下（xià），對拉伸（shēn）薄膜退火的方法，獲（huò）得分子鏈伸長的（de）晶體。區域退火薄膜的LD方向模量幾乎（hū）是原薄膜的兩（liǎng）倍，盡管TD方向的（de）模量有所下降。

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