新聞資訊 | 發布日期:2020-10-17 發(fā)布者:91视频入口精工 |
蒸鍍氧化矽(guī)型阻隔性包裝薄膜的製備(bèi)方法有物(wù)理蒸鍍(PVC)和(hé)化學蒸鍍(CVC)兩大類。根據具體實施方法的不同,又有如下種種方(fāng)法。www.xbbg.cn南京91视频入口精工機械有(yǒu)限公司阻隔膜生產設備
1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理(lǐ)氣相沉(chén)積法(fǎ),包(bāo)括電阻絲蒸鍍、電子束蒸鍍以及濺射(shè)等。其中電阻式蒸鍍和電子(zǐ)束蒸(zhēng)鍍需在高溫下使SiO2汽化,而濺射沉積(jī)應用單元素靶材濺射,具有沉積溫度低、沉積速率高、靶(bǎ)材不受限製、鍍膜質量好(hǎo)的
優(yōu)點。
(1)電阻(zǔ)絲蒸鍍法
電阻絲蒸發鍍法是在真空室(shì)中,用電(diàn)阻絲(sī)加熱(rè)SiO2,溫度可達(dá)1700℃,高溫及真空(kōng)使SiO2以原子或分子的形(xíng)態從其表(biǎo)麵汽化逸出,形成蒸氣流,該蒸氣流在基材表麵沉積,形成含SiOx鍍層的阻(zǔ)隔性包裝薄膜。
(2)電子束蒸發鍍(dù)膜法
電子束蒸發鍍膜法是(shì)將 SiO2放入水冷銅坩堝中(zhōng),直接利用電子束(shù)加熱,使之蒸發汽化,然後凝(níng)結在基材的表麵上形成(chéng)含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度(dù)高,能獲得遠比電阻加熱源更大的能量(liàng)密度,蒸發溫度高(電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫度更可達3000~6000℃),因而特別(bié)適(shì)合製(zhì)作高熔點薄膜類材料和高純薄膜材(cái)料,而且能有較(jiào)高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸(zhēng)鍍材料的表麵,因而熱效率高,熱傳導(dǎo)和熱(rè)輻射的損失少,所生產的SiOx阻(zǔ)隔性包裝(zhuāng)薄膜的(de)阻隔性,較之(zhī)電阻絲蒸鍍法生產的產品,也有顯著提高。
(3)濺射法
濺射法亦稱(chēng)磁控濺射法或高速(sù)低溫濺射法。用單元素靶材濺射並倒入反應氣體進行的反應稱為反應濺射,通(tōng)過調節沉積工(gōng)藝參數,可以製備化學配(pèi)比或非化學配比的化合物(wù)薄膜,從而達到通過調節薄膜鍍層(céng)的組成來(lái)調控薄膜(mó)特性的目的。磁控濺射法(fǎ)與蒸(zhēng)發法相(xiàng)比,具有鍍膜層與基(jī)材的(de)結合力強、鍍膜層致密(mì)、均勻(yún)等優點(diǎn)。磁控濺射的(de)其他優點有設備簡單、操作方(fāng)便等,在(zài)濺射鍍膜過程中(zhōng),隻要保持(chí)工作氣壓和濺射(shè)功率恒定,基本上即可獲得穩定的沉積速率。最大缺點是沉積速率相對較低,此外可能發生靶中(zhōng)毒、引起的打(dǎ)火和濺射過程不穩定以及(jí)膜的缺陷等,這些限製(zhì)了它的應用(yòng),因此尚有待進一步(bù)改進。www.xbbg.cn南京91视频入口精工機械有限公(gōng)司阻隔膜生產設備
2.化學蒸鍍(PECVD)
化學蒸鍍亦稱等離(lí)子體(tǐ)增強化學氣相沉(chén)積或等離子(zǐ)體聚(jù)合氣相(xiàng)沉積,是利用等離子體手(shǒu)段產生電子、離子及活性基團,在氣態或基體表麵進行化學反應。等離子體(tǐ)增強化學氣相沉積技術,利用射頻(RF)電源產生輝光放電(射頻電(diàn)源放電方式可以設置為連續(xù)放電方(fāng)式或脈衝放電方式)或者(zhě)微波(MW)放電來(lái)離(lí)解反應氣(qì)體,形成等(děng)離子體,等離(lí)子體與(yǔ)基膜表麵發生(shēng)相(xiàng)互作用並沉積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中,對PECVD蒸鍍技術的(de)原理、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍技(jì)術的發展趨勢進(jìn)行了展(zhǎn)望。www.xbbg.cn南京91视频入口精工機械有限(xiàn)公司阻隔(gé)膜生產設(shè)備
等離子體增強化學氣相沉積采用有機矽化合物作為單體(tǐ)[主(zhǔ)要是有機矽烷,如六甲基二矽(guī)氧烷(HMDSO)、四甲基(jī)二矽氧烷(wán)(TMSO)、八甲基二矽氧烷等],用等(děng)離子體手段先使之進行離解(jiě),然後聚合沉積在基材表麵上,是一種新的SiOx阻隔性包裝薄膜的製備方法,等離子體增強化學氣相沉積方法具有沉積溫度低、沉積速率快的特點(diǎn),通過改變極板負偏壓,在製備薄膜過程中可調節各種粒子的能量,從(cóng)而製備出致密、均(jun1)勻、高質量的SiOx阻隔性包,裝薄膜。近年來該(gāi)法在等(děng)離子體化學(xué)領域的研究工作十分引人注目。
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